S25FL064P存储芯片的擦写原理简析

因为有数据保存的需求，上了flash存储芯片S25FL064P，调试了两天，对其的擦除和读写原理有了简单的了解。

1，总的大小为128*512Kb，即128个区，每个区64K字节；

2，写数据之前必须擦除，即将要写的区域变为0xFF;

3，擦除的方式为三种：SE(D8h)，一次擦除64KB；P4E(20h)，一次擦除4KB；P8E(40h)，一次擦除8KB；

4，每次擦除完成，等待时间至少400ms；

5，每次擦除时，擦除对应的区域，如SE必须整个扇区擦除，而不能各擦一半；

6，一次可以写1到256字节的数据，每次写完等待时间至少2ms；

7，读取数据可以连续也可以间断，不需要等待；

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